当今全球LED绝对龙头加码化合物半导体,国内III-V族龙头加速崛起。三安光电作为全球LED龙头,依托LED外延、芯片外延工艺积淀加速布局化合物半导体产线。2014年5月三安光电投资30亿元成立三安集成,主要从事化合物半导体集成电路业务,已布局完成6寸的砷化镓和氮化镓部分产线。公司目前在全球拥有五大化合物半导体研发中心,拥有数千件从芯片外延制造到全产业的主流专利积累。2015年公司投资30亿进行通讯微电子器件项目建设,项目建成后将形成通讯用外延片36万片/年、通讯用芯片36万片/年的产能。2017年12月公司投资333亿元在福建泉州投资注册成立项目公司,预计全部项目五年内实现投产,七年内全部项目实现达产,产业化项目主要为高端氮化镓及其LED芯片、大功率氮化镓激光器、射频、滤波器的研发与制造等。
   
化合物半导体性能卓越,高温高频大功率前景光明。相较于硅、锗等第一代半导体材料,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料、以碳化硅及氮化镓为代表的第三代半导体材料拥有更大的禁带宽度和电子迁移率,因此具有在高温高频大功率下工作的优良特性。目前化合物半导体以砷化镓市场份额最高,2017年全球总产值高达88.3亿美元,被广泛应用于无线通信及射频领域。氮化镓凭借优异的高频特性,在通信基站、卫星通信、国防领域应用广泛,2017年射频氮化镓市场规模接近3.8亿美元。碳化硅高压大功率特性优越,在功率器件市场渗透率日渐提升,预计到2020年市场规模将超4亿美元。
   
PA射频、功率器件、3Dsensing下游需求崛起,带动化合物半导体景气上行。手机射频应用是砷化镓元件最大市场,随着砷化镓在PA应用渗透率的提升以及5G时代手机PA个数的大幅增长,预计2020年化合物半导体市场有望增加到440亿美元。新能源汽车市场的高速增长叠加碳化硅价格的下降给碳化硅在功率半导体市场的增长提供了条件,预计2023年全球碳化硅功率半导体市场将快速成长到13.99亿美元,2017-2023年的市场规模年均复合增长率为29%。iPhoneX引领3DSensing热潮,加速化合物半导体往消费电子领域的渗透。
   
盈利预测与投资建议。预计2018-2020年EPS分别为1.02元、1.24元、1.65元,考虑公司所处半导体设备行业的高景气值,公司作为行业稀缺标的,给予公司2018年30倍估值,对应目标价30.6元,首次覆盖,给予“买入”评级。
   
风险提示:LED下游产品降价和化合物半导体研发及量产不及预期的风险。